參數(shù)資料
型號： 28F640J3A
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器)
中文描述： 3伏特英特爾StrataFlash存儲器（3伏6400位英特爾的StrataFlash存儲器）
文件頁數(shù)： 11/58頁
文件大?。?/td> 574K
代理商： 28F640J3A
28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
PRODUCT PREVIEW
5
0667-03
NOTES:
1. A
22
exists on 64-, 128- and 256-Mbit densities. On 32-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
2. A
23
exists on 128-Mbit densities. On 32- and 64-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
3. A
24
exists on 256-Mbit densities. On 32-, 64- and 128-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
4. V
CC
= 5 V ± 10% for the 28F640J5/28F320J5.
2.0
PRINCIPLES OF OPERATION
The Intel StrataFlash memory devices include an on-chip WSM to manage block erase, program,
and lock-bit configuration functions. It allows for 100% TTL-level control inputs, fixed power
supplies during block erasure, program, lock-bit configuration, and minimal processor overhead
with RAM-like interface timings.
After initial device power-up or return from reset/power-down mode (see Section 3.0, Bus
Operations), the device defaults to read array mode. Manipulation of external memory control pins
allows array read, standby, and output disable operations.
Read array, status register, query, and identifier codes can be accessed through the CUI (Command
User Interface) independent of the V
voltage. V
on V
enables successful block erasure,
programming, and lock-bit configuration. All functions associated with altering memory
contents—block erase, program, lock-bit configuration—are accessed via the CUI and verified
through the status register.
Figure 3.
3 Volt Intel StrataFlash Memory 56-Lead TSOP (32/64/128 Mbit) Offers and Easy
Migration from the 32-Mbit Intel StrataFlash Component (28F320J5) or the 16-Mbit
FlashFile Component (28F160S3)
Highlights pinout changes
NC
WE#
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
(4)
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
CE
2
28F320J5
Intel
StrataFlash Memory
56-Lead TSOP
Standard Pinout
14 mm x 20 mm
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
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56
55
54
53
52
51
50
49
48
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46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A
WE#
(3)
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
A
23
CE
2
A
21
A
20
A
19
A
18
CE
1
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
A
22
(1)
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
A
20
A
19
A
18
CE
1
NC
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
NC
28F160S3
(2)
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
28F320J5
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
(4)
A
15
V
CC
A
14
A
13
A
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CE
0
V
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
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A
5
A
4
A
3
A
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A
2
A
1
WP#
WE#
OE#
STS
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DQ
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GND
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DQ
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V
GND
DQ
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DQ
3
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10
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2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
NC
28F160S3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
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28F3204C3 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級堆芯片封裝存儲器)
28F1604C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
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