參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6416V1612BC
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 9/27頁(yè)
文件大?。?/td> 370K
代理商： WED9LC6416V1612BC
17
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6416V
January 20001
FIG. 8 SDRAM PAGE READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @ BURST LENGTH = 4
Cc0
Cd0
Ca0
Ra
CL = 2
Write
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
tRCD
Ra
Qa0
tRDL
tCDL
Qa1
Qb0
Qb1
Qb2
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
CL = 3
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
DON’T CARE
Cb0
Note 2
Note 3
Note 1
DQ
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. To write data before burst read ends. BWE should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before Row precharge will be written.
3. BWE should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked
internally.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WMS512K8-70DEME 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32
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WF2M32B-150G2UI5A 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68
W7NCF01GH11CS6DG 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC
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參數(shù)描述
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