參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6416V1612BC
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁數(shù)： 8/27頁
文件大?。?/td> 370K
代理商： WED9LC6416V1612BC
16
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6416V
January 2001
FIG. 7 SDRAM READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @ BURST LENGTH = 4
Rb
Cb0
Ca0
Ra
CL = 2
DQ
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
tRCD
tRC
Rb
Note 1
Ra
Qa0
tSHZ
tRDL
tRAC
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
CL = 3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
tSAC
tOH
Note 3
Note 4
Note 3
DON’T CARE
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. Minimum row cycle times are required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. (CAS Latency - 1) number of valid output data is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z (tSHZ)
after the clock.
3. Access time from Row active command. tCC *(tRCD + CAS Latency - 1) + tSAC.
4. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WMS512K8-100DEIEA 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32
WMS512K8-70DEME 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32
WSF512K32-29G2TI SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CQFP68
WF2M32B-150G2UI5A 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68
W7NCF01GH11CS6DG 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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WED9LC6416V2010BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
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WED9LC6416V2012BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
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