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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | WED9LC6416V1612BC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 11/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | WED9LC6416V1612BC |
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19
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6416V
January 20001
FIG. 10 SDRAM PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4
CAc
CBd
RBb
CAa
RAa
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
RAa
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
DAa1
DAa0
DAa2
DON’T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
tRDL
tCDL
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
DQ
SDWE
NOTES:
1. To interrupt burst write by Row precharge, BWE should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMS512K8-100DEIEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32 |
| WMS512K8-70DEME | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32 |
| WSF512K32-29G2TI | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CQFP68 |
| WF2M32B-150G2UI5A | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| W7NCF01GH11CS6DG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6416V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2012BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
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