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參數(shù)資料
| 型號： | WED416S16030A10SI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 7/26頁 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | WED416S16030A10SI |
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White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED416S16030A
FIG. 6 PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST
LENGTH=4
RAS
CAS
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE
CAc
CBd
CAe
RBb
CAa
RAa
CL = 2
DQ
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0
QAe1
CL = 3
QAa2 QAa3
QAa0 QAa1
QBb0 QBb1
QBb3
QBb2
QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0
QAe1
DON'T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
NOTES:
1. CE can be don't cared when RAS, CAS, and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WV3HG128M72EEU534PD4IMG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA200 |
| WV3HG128M72EEU665PD4IMG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, ZMA200 |
| WMF128K8X-150DEC5 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDSO32 |
| WSF2816-39H1M | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CHIP66 |
| WS128K32-20G4TC | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED416S16030C10SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4M x 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| WED416S16030C75SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4M x 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| WED416S16030C7SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4M x 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| WED416S16030C8SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4M x 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| WED416S8030A | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:2Mx16x 4 Banks Synchronous DRAM |
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