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參數(shù)資料
| 型號： | W942516BH |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1601K |
| 代理商： | W942516BH |
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W942508BH
Publication Release Date: March 19, 2002
- 11 -
Revision A1
13. AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Input High Voltage (AC)
V
IH
V
REF
+0.31
V
Input Low Voltage (AC)
V
IL
V
REF
-0.31
V
Input Reference Voltage
V
REF
0.5 x V
DDQ
V
Termination Voltage
V
TT
0.5 x V
DDQ
V
Input Signal Peak to Peak Swing
V
SWING
1.0
V
Differential Clock Input Reference Voltage
V
R
V
x
(AC)
V
Input Difference Voltage. CLK and CLK Inputs (AC)
V
ID (AC)
1.5
V
Input Signal Minimum Slew Rate
SLEW
1.0
V/nS
Output Timing Measurement Reference Voltage
V
OTR
0.5 x V
DDQ
V
V
SWING (MAX)
V
DD
Q
V
SS
T
T
V
IH
min (AC)
V
REF
V
IL
max (AC)
SLEW = (V
IH
min (AC) - V
IL
max (AC)) /
T
Output
R
T
= 50 ohms
VTT
A.C. TEST LOAD (A)
Z = 50 ohms
output
30pF
Measurement point
Notes:
(1)
Conditions outside the limits listed under "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" may cause permanent damage to the
device.
(2)
All voltages are referenced to V
SS
, V
SSQ.
(3)
Peak to peak AC noise on V
REF
may not exceed
±
2% V
REF(DC).
V
OH
= 1.95V, V
OL
= 0.35V
(4)
(5)
V
OH
= 1.9V, V
OL
= 0.4V
(6)
The values of I
OH (DC)
is based on V
DDQ
= 2.3V and V
TT
= 1.19V.
The values of I
OL (DC)
is based on V
DDQ
= 2.3V and V
TT
= 1.11V.
These parameters depend on the cycle rate and these values are measured at a cycle rate with the minimum values
of t
CK
and t
RC
.
(7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9451GBDA-6 | SDRAM|DDR|64MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC |
| W981204AH-75 | x4 SDRAM |
| W981204AH-8H | x4 SDRAM |
| W982504AH-7 | x4 SDRAM |
| W982504AH-75 | x4 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W942516CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM |
| W9425G6DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH_0812 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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