參數(shù)資料
型號(hào)： V58C2256324SAH-36
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.55 ns, PBGA144
封裝： ROHS COMPLIANT, BGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 16/37頁(yè)
文件大?。?/td> 370K
代理商： V58C2256324SAH-36
23
V58C2256324SA Rev. 1.4 August 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256324SA
Write Interrupted by a Precharge
A Burst Write operation can be interrupted before completion of the burst by a Precharge of the same bank. Random column access is
allowed. A Write Recovery time (t WR) is required from the last data to Precharge command. When Precharge command is asserted,
any residual data from the burst write cycle must be masked by DMx.
Write interrupted by Precharge
D-in
2
CLK
Write
bank A
DQSx
DQx
D-in
0
Command
t
WR
DMx
NOP
PRE
Write
bank B
NOP
D-in
1
D-in
3
t
DQSS
NOP
D-in
0
D-in
1
Last valid
data
Data must be
masked
Data is masked
by Precharge
Burst length = 8
t
DQSS
D-in
4
D-in
5
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PDF描述
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