- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380786 > STW6NC90 (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STW6NC90 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| 中文描述： | N溝道900V - 2.1ohm - 5.2A至247齊納保護(hù)PowerMESH⑩三MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | STW6NC90 |
STW6NC90Z
8/8
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences
of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is
granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are
subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products
are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.
The ST logo is a trademark of STMicroelectronics
2000 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights Reserved
STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco -
Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.
http://www.st.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW9NA60 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
| STW9NA80 | N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道快速功率ＭＯＳ晶體管) |
| STW9NB80 | N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
| STW9NB90 | N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
| STW9NC70Z | N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW6NC90Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STW6NK70Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET |
| STW70N10F4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW70N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:66A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
| STW70N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。