參數(shù)資料
型號： STW6NC90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 2.1ohm - 5.2A至247齊納保護PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： STW6NC90
STW6NC90Z
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Drain-source
Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp.
Coefficient
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
0.78
30
0.1
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
5.2
A
E
AS
200
mJ
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
900
V
BV
DSS
/
T
J
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
1
V/°C
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
1
μA
50
μA
I
GSS
V
GS
= ±20V
±10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
2.1
2.5
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
5.2
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=2.5A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(1)
Forward Transconductance
5.6
S
C
iss
C
oss
Input Capacitance
1840
pF
Output Capacitance
116
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
12
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STW70N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
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