參數(shù)資料
型號： STW6NC90
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 2.1ohm - 5.2A至247齊納保護PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 243K
代理商： STW6NC90
1/8
October 2000
STW6NC90Z
N-CHANNEL 900V - 2.1
- 5.2A TO-247
Zener-Protected PowerMESHIII MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 2.1
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The third generation of MESH OVERLAY
Power
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-
passed on-resistance per unit area while integrating
back-to-back Zener diodes between gate and
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-
ity with higher ruggedness performance as request-
ed by a large variety of single-switch applications.
APPLICATIONS
I
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION
I
WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(1)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
I
GS
Gate-source Current (*)
V
ESD(G-S)
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15K
)
dv/dt
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
(1)I
SD
≤
5.2A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STW6NC90Z
900 V
< 2.5
5.2A
Parameter
Value
Unit
900
V
900
V
±25
V
5.2
A
3.3
A
21
A
160
W
1.52
W/°C
±50
mA
4
KV
3
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
(*) Limited by maximum temperature allowed
TO-247
相關PDF資料
PDF描述
STW9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STW9NA80 N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道快速功率ＭＯＳ晶體管)
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STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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