參數(shù)資料
型號(hào)： STW6NC90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 2.1ohm - 5.2A至247齊納保護(hù)PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 243K
代理商： STW6NC90
STW6NC90Z
4/8
Thermal Impedance
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Output Characteristics
Safe Operating Area
Transfer Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW6NC90Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW6NK70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
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STW70N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:66A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW70N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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