參數(shù)資料
型號： STW6NC90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 2.1ohm - 5.2A至247齊納保護(hù)PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 243K
代理商： STW6NC90
3/8
STW6NC90Z
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON (RESISTIVE LOAD)
Symbol
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF (INDUCTIVE LOAD)
Symbol
t
r(Voff)
Off-voltage Rise Time
t
f
Fall Time
t
c
Cross-over Time
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
Gate-Source Breakdown
Voltage
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3.
V
BV
=
α
T (25°-T) BV
GSO
(25°)
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied from gate to souce. In this respect the 25V Zener voltage is appropiate to achieve an efficient and
cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the
usage of external components.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 450V, I
D
= 2.5A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 720V, I
D
= 5 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
24
ns
t
r
Rise Time
8
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
40
56
nC
Gate-Source Charge
9
nC
Gate-Drain Charge
15
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 720V, I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
12
ns
13
ns
20
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
5.2
A
Source-drain Current (pulsed)
21
A
Forward On Voltage
I
SD
= 5 A, V
GS
= 0
1.6
V
Reverse Recovery Time
I
SD
= 5 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 50 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
510
ns
Reverse Recovery Charge
4
μC
Reverse Recovery Current
15
A
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BV
GSO
Igs=± 1mA (Open Drain)
25
V
α
T
Voltage Thermal Coefficient
T=25°C Note(3)
1.3
10
-4
/°C
Rz
Dynamic Resistance
I
GS
= 50 mA
90
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STW70N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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