參數(shù)資料
型號： STW9NA80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道快速功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道800V的-0.85Ω- 9.1A - TO-247/ISOWATT218快速功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道快速功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/10頁
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代理商： STW9NA80
STW9NA80
STH9NA80FI
N - CHANNEL 800V - 0.85
- 9.1A - TO-247/ISOWATT218
FAST POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.85
I
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGERATING
I
100%AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVEAVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
REDUCED THRESHOLD VOLTAGESPREAD
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STW9NA80
STH9NA80FI
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
800
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
800
V
V
GS
±
30
V
I
D
I
D
9.1
5.9
A
6
3.9
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
36.4
36.4
A
190
80
W
1.52
0.64
W/
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage (DC)
4000
V
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 1.0
< 1.0
I
D
STW9NA80
STH9NA80FI
800 V
800 V
9.1 A
5.9 A
November 1998
1
2
3
TO-247
ISOWATT218
1
2
3
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NK60Z N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW9NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NK60Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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