參數(shù)資料
型號(hào)： STW30NM60D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.125 - 30A條- 247 MOSFET的快速二極管的MDmesh
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： STW30NM60D
3/9
STW30NM60D
Table 7: Dynamic
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
Table 8: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Pulse width limited by safe operating area.
(3) C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
.
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V , I
D
= 15 A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
Min.
Typ.
16
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Equivalent Output
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off-Delay Time
Fall Time
2520
800
75
pF
pF
pF
C
OSS eq
(3)
.
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0 to 480 V
390
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 300 V, I
D
= 15 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see Figure 15)
32
33
75
35
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 480 V, I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
(see Figure 18)
82
24
42
115
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
30
120
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 30 A, V
GS
= 0
I
SD
= 30 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 50V
(see Figure 16)
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
165
1.1
14
ns
nC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 30 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 50V, T
j
= 150°C
(see Figure 16)
312
3.3
21
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
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參數(shù)描述
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