參數(shù)資料
型號(hào)： STW30NM60D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.125 - 30A條- 247 MOSFET的快速二極管的MDmesh
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： STW30NM60D
STW30NM60D
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
j
T
stg
Storage Temperature
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
30A, di/dt
≤
400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
Table 4: Thermal Data
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Table 5: Avalanche Characteristics
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 6: On /Off
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source Breakdown
Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125°C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
R
DS(on
Static Drain-source On
Resistance
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
± 30
V
30
A
18.9
A
120
A
312
W
2.5
20
W/°C
V/ns
Operating Junction Temperature
-55 to 150
-55 to 150
°C
°C
0.4
62.5
°C/W
°C/W
°C
300
Parameter
Max Value
15
Unit
A
740
mJ
Test Conditions
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
10
100
μA
μA
V
GS
= ± 20 V
± 10
μA
3
4
5
V
V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A
0.125
0.145
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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