參數(shù)資料
型號： STW20NB50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(Ｎ溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -0.22Ω- 20A條至247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： STW20NB50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V I
D
= 20 A V
GS
= 10 V
32
15
43
21
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
85
21
37
110
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V I
D
= 20 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 5)
20
25
47
27
33
62
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
20
80
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 20 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 20 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
C
(see test circuit, figure 5)
700
9
25
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STW20NB50
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW20NM50FD Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-247 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STW40N20 N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW20NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 18.4A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
STW20NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NK50Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW20NK70Z 功能描述:MOSFET N-Ch 700 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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