參數(shù)資料
型號(hào)： STW20NB50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(Ｎ溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -0.22Ω- 20A條至247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： STW20NB50
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.5
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
20
A
E
AS
1000
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
500
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
10
100
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V I
D
= 10 A
0.22
0.27
I
D(on)
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
20
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 10 A
9
13.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
3600
460
55
4700
600
75
pF
pF
pF
STW20NB50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW20NM50FD Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-247 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STW40N20 N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW20NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 18.4A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
STW20NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NK50Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW20NK70Z 功能描述:MOSFET N-Ch 700 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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