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參數資料
| 型號： | STP16NK65Z-S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的- 0.38з - 14A條，220 / I2SPAK /至247齊納⑩MOSFET的保護SuperMESH |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | STP16NK65Z-S |
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STP16NK60Z - STB16NK60Z-S - STW16NK60Z
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
ON/OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 μA
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3. C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80%
V
DSS
.
Test Conditions
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
50
μA
μA
V
GS
= ± 20V
±10
μA
3
3.75
4.5
V
V
GS
= 10V, I
D
= 7 A
0.38
0.42
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 7 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
12
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Equivalent Output
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
2650
285
62
pF
pF
pF
C
oss eq.
(3)
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
158
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 480 V, I
D
= 14 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 3)
30
25
70
15
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 480V, I
D
= 14 A,
V
GS
= 10V
86
17
46
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
14
56
Unit
A
A
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
Forward On Voltage
I
SD
= 14 A, V
GS
= 0
I
SD
= 14 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100 V, T
j
= 25
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
490
5.4
22
ns
μC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 14 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100 V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
585
7
24
ns
μC
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW20NB50 | N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(Ｎ溝道MOSFET) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| STP16NS25 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP16NS25FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP170N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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