參數(shù)資料
型號(hào)： STP16NK65Z-S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.38з - 14A條，220 / I2SPAK /至247齊納⑩MOSFET的保護(hù)SuperMESH
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： STP16NK65Z-S
STP16NK60Z - STB16NK60Z-S - STW16NK60Z
10/11
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
1.0
2.0
3.0
0.40
19.85
15.45
MAX.
5.15
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.15
15.75
MIN.
0.19
0.086
0.039
0.079
0.118
0.015
0.781
0.608
MAX.
0.20
0.102
0.055
0.094
0.134
0.03
0.793
0.620
A
A1
b
b1
b2
c
D
E
e
L
L1
L2
P
R
S
5.45
0.214
14.20
3.70
14.80
4.30
0.560
0.14
0.582
0.17
18.50
0.728
3.55
4.50
3.65
5.50
0.140
0.177
0.143
0.216
5.50
0.216
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW20NB50 N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(Ｎ溝道MOSFET)
STW20NM50FD Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-247 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP16NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP16NS25 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP16NS25FP 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP170N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP17N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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