參數(shù)資料
型號： STP1100BGA-100
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272
封裝： PLASTIC, BGA-272
文件頁數(shù)： 21/32頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： STP1100BGA-100
28
STP1100BGA
Preliminary
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
December 1997
Sun Microsystems, Inc
1. DRAM interface pins tested with VDD3 5.0V 5%.
2. DRAM interface pins tested with VDD3 5.0V 5%.
3. PCI_GNT[0] is used to signal a host request to an external arbiter if enabled.
JTAG_TDO
tDO
tHO
80 pF
JTAG_CK+
-
0
30
-
ns
REF_CLOCK
tDO
tHO
35 pF
-
ns
PCI BIDI’s:
Refer to PCI
Specication Rev 2.1
AD[31:0]
FRAME#
TRDY#
IRDY#
STOP#
DEVSEL#
CBE[3:0]#
PAR
PERR#
SERR#
50 pF
PCI_CLK+
2
11
ns
PCI Outputs:
Refer to PCI
Specication Rev 2.1
PCI_GNT[3:0]# [3]
PCI_CLK[3:0]
PCI_RST#
50 pF
PCI_CLK+
-
PCI_CLK+
2
-
2
12
-
12
ns
-
ns
TABLE 8: AC Characteristics (Bidirectional and Output Pins) (Continued)
Pin Name
Symbol
Conditions
Reference Edge
100 MHz
Unit
Min
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP2001QFP MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16
STP2011PGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279
STP2024PQFP 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120
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STP2202ABGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP110N10F7 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP110N55F6 功能描述:MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP110N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP1141 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STP1141/1151 系列超低壓差，帶開關(guān)端集成穩(wěn)壓器
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