參數(shù)資料
型號： STP1100BGA-100
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272
封裝： PLASTIC, BGA-272
文件頁數(shù)： 20/32頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： STP1100BGA-100
27
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
STP1100BGA
Preliminary
December 1997
Sun Microsystems, Inc
TABLE 8: AC Characteristics (Bidirectional and Output Pins)
Pin Name
Symbol
Conditions
Reference Edge
100 MHz
Unit
Min
Max
MEMDATA[31:0] [1]
tDO
tHO
tSI
tHI
132 pF
REF_CLOCK+
–
0
6
0
10
–
ns
MEMDATA[63:32] [2]
tDO
tHO
tSI
tHI
120 pF
REF_CLOCK+
–
0
6
0
10
–
ns
MEMPAR[1:0] [1]
tDO
tHO
tSI
tHI
156 pF
REF_CLOCK+
–
0
6
0
10
–
ns
ROM_ADDR[23:0]
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
20
-
ns
ROM_OE_L
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
20
-
ns
ROM_WE_L
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
20
-
ns
ROM_CS_L
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
20
-
ns
MEMADDR[11:0]
tDO
tHO
28 pF
REF_CLOCK+
-
10
-
ns
RAS_L[7:0]+
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
0
10
-
ns
RAS_L[7:0]-
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK-
-
0
10
-
ns
CAS_L[3:0]
tDO
tHO
55 pF
REF_CLOCK+
-
2
10
-
ns
MWE_L
tDO
tHO
28 pF
REF_CLOCK+
-
0
10
-
ns
MOE_L
tDO
tHO
28 pF
REF_CLOCK+
-
0
10
-
ns
INT_EVENT_L
tDO
tHO
35 pF
REF_CLOCK+
-
0
10
-
ns
相關PDF資料
PDF描述
STP2001QFP MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16
STP2011PGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279
STP2024PQFP 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120
STP2200ABGA-100 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225
STP2202ABGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP110N10F7 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP110N55F6 功能描述:MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP110N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP1141 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STP1141/1151 系列超低壓差，帶開關端集成穩(wěn)壓器
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*