參數(shù)資料
型號： STD90N02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0052ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/17頁
文件大小： 778K
代理商： STD90N02L
STD90N02L - STD90N02L-1
Electrical characteristics
5/17
Table 6.
Table 5.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
=10V, I
D
=30A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=5V
(see Figure 17)
12
200
18
25
33
ns
ns
ns
ns
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max. Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
=30A, V
GS
=0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
=60A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
=15V, Tj=150°C
(see Figure 20)
36
65
3.6
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET
STD90NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052 ohm - 60A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD93003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
STD9N10L N-Channel 100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
STD9N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD90N02L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET? III Power MOSFET
STD90N02L-1 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N4F3 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 5.4 mOhms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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