參數(shù)資料
型號： STD90N02L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0052ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 11/17頁
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代理商： STD90N02L
STD90N02L - STD90N02L-1
Test circuits
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3
Test circuits
Figure 15. Switching times test circuit for
resistive load
Figure 16. Gate charge test circuit
Figure 17. Test circuit for inductive load
switching and diode recovery times
Figure 18. Unclamped inductive load test
circuit
Figure 19. Unclamped inductive waveform
Figure 20. Switching time waveform
相關PDF資料
PDF描述
STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET
STD90NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052 ohm - 60A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD93003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
STD9N10L N-Channel 100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
STD9N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD90N02L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET? III Power MOSFET
STD90N02L-1 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N4F3 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 5.4 mOhms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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