參數資料
型號： STD9N10L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
中文描述： N -通道100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁數： 1/6頁
文件大小： 43K
代理商： STD9N10L
STD9N10L
N - CHANNEL 100V - 0.22
- 9A - IPAK/DPAK
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.22
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVEAVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATINGTEMPERATURE
I
HIGH dV/dtRUGGEDNESS
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWERPACKAGEIN TAPE& REEL
(SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
POWER MOTOR CONTROL
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SYNCRONOUSRECTIFICATION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
100
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
100
V
±
20
9
V
I
D
A
I
D
6.4
A
I
DM
(
)
P
tot
36
A
45
W
0.3
W/
o
C
dV/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
7
V/ns
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 175
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.02
I
D
STD20N03L
30 V
20 A (*)
September 1998
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix ”-1”)
1/6
相關PDF資料
PDF描述
STD9N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STDEV003A 3:1 TMDS / HDMI signal equalizer
STDVE003A 3:1 TMDS / HDMI signal equalizer
STDS75 Digital temperature sensor and thermal watchdog
STDS75DS2E Digital temperature sensor and thermal watchdog
相關代理商/技術參數
參數描述
STD9N10L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-251AA
STD9N10LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA
STD9N10T4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR
STD9N40M2 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STD9N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Single N-Channel 650 V 0.78 Ohm 60 W Surface Mount Power Mosfet - DPAK-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 5.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus Power Mosfet - DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.72,5.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.72Ohm,5.5A Power MOSFET
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