參數(shù)資料
型號(hào)： STD9N10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
中文描述： N -通道100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： STD9N10L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 5 V
10
25
14
35
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 80 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
13
5.5
6
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 80 V
R
G
= 4.7
I
D
= 9 A
V
GS
= 5 V
10
10
25
14
14
35
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
9
36
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 9 A
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 9 A
V
DD
= 25 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
110
0.4
7.2
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STD9N10L
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD9N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STDEV003A 3:1 TMDS / HDMI signal equalizer
STDVE003A 3:1 TMDS / HDMI signal equalizer
STDS75 Digital temperature sensor and thermal watchdog
STDS75DS2E Digital temperature sensor and thermal watchdog
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD9N10L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-251AA
STD9N10LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA
STD9N10T4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR
STD9N40M2 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD9N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Single N-Channel 650 V 0.78 Ohm 60 W Surface Mount Power Mosfet - DPAK-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 5.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus Power Mosfet - DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.72,5.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.72Ohm,5.5A Power MOSFET
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