參數(shù)資料
型號： STD90N02L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0052ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大小： 778K
代理商： STD90N02L
Electrical characteristics
STD90N02L - STD90N02L-1
4/17
2
Electrical characteristics
(Tcase =25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 25mA, V
GS
= 0
24
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20V,
V
DS
= 20V,Tc = 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±
100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.8
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
V
GS
= 5V, I
D
= 15A
0.0052
0.007
0.006
0.011
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward
transconductance
V
DS
=10V, I
D
= 18A
27
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=16V, f=1MHz, V
GS
=0
2050
545
70
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
=10V, I
D
= 60A
V
GS
=5V
(see Figure 15)
17
7.7
3.5
22
nC
nC
nC
R
G
Gate input resistance
f=1MHz Gate DC Bias =0
test signal level =20mV
open drain
0.5
1.5
3
Q
OSS(2)
2.
Q
oss.
= C
oss
* D Vin, C
oss
= C
gd
+ C
gd.
(see
Appendix A
)
Output charge
V
DS
=10V, V
GS
=0V
14
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET
STD90NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052 ohm - 60A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD93003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
STD9N10L N-Channel 100V-0.22Ω-9A-IPAK/DPAK Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
STD9N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD90N02L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET? III Power MOSFET
STD90N02L-1 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD90N4F3 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 5.4 mOhms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*