參數(shù)資料
型號： STB6NK60Z-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1ohm - 6A條TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK齊保護(hù)的SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/13頁
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代理商： STB6NK60Z-1
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z-1
8/13
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB70NF02L N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB70NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:2.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:150uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
STB70NF3LLT4 N-CHANNEL 30V - 0.0075 ohm - 70A D2PAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
STB75NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB75NH02LT4 N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NK90Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB6NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NM60N 功能描述:MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7001 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:900 MHz THREE GAIN LEVEL LNA
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