參數(shù)資料
型號： STB6NK60Z-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1ohm - 6A條TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK齊保護(hù)的SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 578K
代理商： STB6NK60Z-1
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z-1
10/13
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
e
2.4
2.7
0.094
0.106
E
10
10.4
0.393
0.409
L
13.1
13.6
0.515
0.531
L1
3.48
3.78
0.137
0.149
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L
L1
B
B
D
E
A
C
C
A
L2
e
P011P5/E
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB70NF02L N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB70NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:2.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:150uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
STB70NF3LLT4 N-CHANNEL 30V - 0.0075 ohm - 70A D2PAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
STB75NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB75NH02LT4 N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NK90Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB6NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NM60N 功能描述:MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7001 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:900 MHz THREE GAIN LEVEL LNA
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