參數(shù)資料
型號: STB6NK60Z-1
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 1ohm - 6A條TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK齊保護的SuperMESH⑩功率MOSFET
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代理商: STB6NK60Z-1
11/13
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z-1
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB70NF02L N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB70NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:2.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:150uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
STB70NF3LLT4 N-CHANNEL 30V - 0.0075 ohm - 70A D2PAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
STB75NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB75NH02LT4 N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NK90Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB6NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NM60N 功能描述:MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7001 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:900 MHz THREE GAIN LEVEL LNA