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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB60NH02L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道24V的- 0.0085歐姆-第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 423K |
| 代理商： | STB60NH02L |
STB60NH02L
8/11
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
MAX.
10.7
MIN.
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MAX.
0.421
A0
B0
15.7
15.9
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D
1.5
1.6
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D1
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E
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F
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0.456
K0
4.8
5.0
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P0
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P2
1.9
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R
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DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
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MIN.
MAX.
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A
B
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D
G
N
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1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
* on sales type
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
D
2
PAK FOOTPRINT
TAPE MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB6NA60 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
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| STP6NC90ZFP | N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STB6NK60ZT4 | N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STB60NS04ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| STB6100_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8PSK/QPSK direct conversion tuner IC |
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