參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆-第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： STB60NH02L
STB60NH02L
2/11
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(4
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
2.14
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 25 mA, V
GS
= 0
24
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
1.8
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
0.0085
0.012
0.0105
0.020
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (4)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 25 A
27
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 15V f = 1 MHz V
GS
= 0
1400
400
55
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20 mV
Open Drain
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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STP6NC90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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參數(shù)描述
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