參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆-第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 423K
代理商： STB60NH02L
7/11
STB60NH02L
DIM.
mm.
TYP.
inch.
TYP.
MIN.
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
MAX.
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
MIN.
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
TYP.
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
8
0.315
10
10.4
0.394
0.409
8.5
0.334
4.88
15
1.27
1.4
2.4
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.4
0.015
0°
8°
0°
8°
D
2
PAK MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STB6NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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STP6NC90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB6NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STB60NS04ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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