參數(shù)資料
型號： STB60NH02L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆-第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 423K
代理商： STB60NH02L
3/11
STB60NH02L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(1)
Garanted when external Rg=4.7
and t
< t
.
(4)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2)
Pulse width limited by safe operating area
(5)
Q
oss =
C
oss
*
V
in ,
C
oss =
C
gd +
C
ds .
See Appendix A
(
3
) Starting T
= 25
o
C, I
= 25A, V
DD
= 15V
.
.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10
130
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
24
5
3.4
32
nC
nC
nC
Q
oss(5)
Output Charge
V
DS
= 16 V V
GS
= 0 V
9.4
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
27
16
21.6
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(4)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 18 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
36
36
2
48
48
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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