參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆-第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
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代理商： STB60NH02L
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STB60NH02L
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STB6NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STB6NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STP6NC90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB6NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB60NH02L_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
STB60NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NS04ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6100 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TUNERS SATELLITE 2.15GMHZ 32QFN - Trays 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Tuners Satellite 2.15GMHz 32-Pin QFN Tray
STB6100_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8PSK/QPSK direct conversion tuner IC
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