參數(shù)資料
型號(hào)： STB4395
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
中文描述： 第二代無線電話接收器/發(fā)送器（第二代無線電話接收器/發(fā)送器）
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 153K
代理商： STB4395
2 - BLOCKDIAGRAM
Figure1
61
60
56
55
51
50
2
14
15
16
47
46
44
43
41
40
35
34
33
21
24
25
27
28
31
29
30
2nd Mixer
SAWO
NSAWO
NIF2O
IF2O
IF2I
NIF2I
2
1st
Mixer
PA
N
S
LNA
37
RSSI
VCOI
NVCOI
FLTRI
Receive
VCO
152.1MHz
PA/LNA
CONTROL
CONTROL
DECODER
IQ Modulator
1
15
1
1
PRGD
÷
2
I
Q
IQ Input
Data
Tx
Mixer
Tx
DIVIDER
Rx
DIVIDER
S
PHASE
DETECTOR
PHASE
DETECTOR
PHASE
DETECTOR
CHARGE
PUMP
CHARGE
PUMP
CHARGE
PUMP
R
D
12
SYNCLK
14.4MHz
PLL
FILTER
VCO
TANK
Transmit
VCO
300.8MHz
PLL
FILTER
VCO
TANK
DEMOD.
TANK
Channel
VCO
716.45MHz
DATA
SLICER
Data
Out
FM
Modulator
50kHz
BitRate Filter
R
N
N
T
1.7MHz
LC
IF SAW
LC
RF SAW
866.05MHz
150.4MHz
VCO
TANK
PLL
FILTER
VCOO
NVCOO
FLTRO
D
D
B
B
B
V
N
F
F
STB4395
20
19
18
D
S
Synthesizer
Control
1
3
1
PRGCLK
NPRGEN
4
NTXEN
4
STB4395
7/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NF06L-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB4395A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*