參數(shù)資料
型號： STB45N10L
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： STB45N10L
STB45N10L
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.028
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
LOW GATE CHARGE
I
LOW LEAKAGE CURRENT
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")
I
SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4")
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
I
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
I
DC-AC CONVERTER FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
100
±
15
45
V
V
A
I
D
32
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
180
A
150
W
1
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.036
I
D
STB45N10L
100 V
45 A
March 1996
123
1
3
I2PAK
TO-262
D2PAK
TO-263
1/6
相關PDF資料
PDF描述
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STB55NF06L-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
STP55NF06L N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STB45N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB45NF06 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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