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參數(shù)資料
| 型號： | STB4395 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器) |
| 中文描述： | 第二代無線電話接收器/發(fā)送器（第二代無線電話接收器/發(fā)送器） |
| 文件頁數(shù)： | 16/16頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | STB4395 |
A
A2
A1
B
C
16
17
32
33
48
49
64
E
D3
E
E
D1
D
e
1
K
B
TQP6
L
L
Seating Plane
0.10mm
P
PACKAGE MECHANICAL DATA
64 PINS- PLASTIC QUAD FLAT PACK (THIN)
Dimensions
Millimeters
Typ.
Inches
Typ.
Min.
Max.
1.60
0.15
1.45
0.28
0.20
Min.
Max.
0.063
0.006
0.057
0.011
0.0079
A
A1
A2
B
C
D
D1
D3
e
E
E1
E3
K
L
L1
0.05
1.35
0.18
0.12
0.002
0.053
0.007
0.0047
1.40
0.23
0.16
12.00
10.00
7.50
0.50
12.00
10.00
7.50
0.055
0.009
0.0063
0.472
0.394
0.295
0.0197
0.472
0.394
0.295
1
0
o
(Min.), 7
o
(Max.)
0.75
0.40
0.60
1.00
0.0157
0.0236
0.0393
0.0295
T
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STB4395
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB45N10L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB50NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| STB55NE06L | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STB55NE06 | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STB55NF06L-1 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB4395A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:CT2 RECEIVER/TRANSMITTER |
| STB43N65M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB45N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB45N40DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB45N50DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
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