參數(shù)資料
型號(hào)： STB4395
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
中文描述： 第二代無線電話接收器/發(fā)送器（第二代無線電話接收器/發(fā)送器）
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： STB4395
8 - TRANSCEIVER SECTION
(continued)
8.4 - System Clock Input
Symbol
f
REF
(*1)
Reference Frequency
V
S
Input Voltage Swing, AC Coupled, referenced to V
P
I
IH
Input Current-High (with respect to V
N
)
I
IL
Input Current-low (with respect to V
N
)
Description
Min.
Typ.
14.4
Max.
Unit
MHz
V
μ
A
μ
A
0.4
-40
0.8
40
(*1) limits according to ETSI specification
8.5 - RF/NRF Receive/TransmitPins
Symbol
Z
IN
Input Impedance (balanced, RX)
VSWR
VSWR
V
IN DC Max.
DC Input Voltage
P
IN AC Max.
AC Input Power
Z
OUT
Output Impedance (balanced, TX)
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
-
-
V
dBm
-
300
// 3.5pF
1.5:1
0
0
300
// 3pF
8.6 - Digital Input Buffers NTXEN, PRGD, NPRGEN, PRGCLK, FN
Symbol
V
IH
Upper Level Input Voltage
V
IL
Lower Level Input Voltage
I
IH
Input Current High
I
IL
Input Current Low
Tt
Input Edge Transition
Description
Min.
V
P
-1
V
N
-0.4
-10
Typ.
Max.
V
P
+0.4
V
N
+ 1
Unit
V
V
μ
A
μ
A
μ
s/V
40
1
0.1
8.7 - Digital Output Buffers xLOCK, DO
Symbol
V
OH
Upper Level Output Voltage
V
OL
Lower Level Output Voltage
t
R
Rise Time (load of 5pF)
t
F
Fall Time (load of 5pF)
Description
Min.
V
P
-0.3
V
N
Typ.
Max.
V
P
V
N
+ 1
Unit
V
V
μ
s/V
μ
s/V
0.3
0.4
8.8 - Receiver- FSH Tri State Input
Symbol
V
IH
Upper Level Input Voltage
V
IL
Lower Level Input Voltage
I
TR
Tri State Current
I
IH
Input Current High
II
L
Input Current Low
T
t
Input Edge Transition
Description
Min.
V
P
-0.3
V
N
-0.4
-10
-100
Typ.
Max.
V
P
+0.4
V
N
+ 1
10
Units
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
s/V
100
1
0.1
STB4395
13/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NF06L-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
STB4395A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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