參數(shù)資料
型號(hào)： STB4395
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
中文描述： 第二代無(wú)線(xiàn)電話(huà)接收器/發(fā)送器（第二代無(wú)線(xiàn)電話(huà)接收器/發(fā)送器）
文件頁(yè)數(shù)： 14/16頁(yè)
文件大小： 153K
代理商： STB4395
8 - TRANSCEIVER SECTION
(continued)
8.9 - Receiver-RSSI Output
The receiveroutput swings between V
P
andV
N
.The bufferoutput supplies a current to an on-chipresistor
connectedto V
N
. The output has to be smoothed externallywith a capacitorto V
N
.
Symbol
Description
P
MIN
Min RF Input Power Registered
P
MAX
Max RF Input Power Registered
R
OUT
Output Resistance (internallyconnected to V
N
)
V
MIN
Voltage for P
MIN
V
MAX
Voltage for P
MAX
CF
conversion factor
Min.
Typ.
Max.
-90
Unit
dBm
dBm
k
V
V
-44
50
V
N
+1.25
V
N
+0.25
-200
V
N
+2
V
N
mV/decade
8.10 - Power Down Buffer, EN
Symbol
V
IH
Upper Level Input Voltage
V
IL
Lower Level Input Voltage
I
IH
Input Current High
I
IL
Input Current Low
t
ON
Buffer Delay to LOCK HI (1)
tO
FF
Buffer Delay to minSupply Current (1)
Description
Min.
V
P
-0.3
V
N
-0.4
-350
Typ.
Max.
V
P
+0.4
V
N
+0.3
Unit
V
V
μ
A
μ
A
ms
ms
10
10
10
(1) assumes application circuit with 100nF on each regulator.
8.11- Transmitter-DataInputs
8.11.1- I,Q,REFIQ
(STB4395A)
Symbol
R
EXT
External Input Resistance
R
INT
Internal Input Resistance
R
IM
R
INT
Matching Error
V
DC
DC Bias to R
EXT
V
DC match
V
DC
Matching Error to R
EXT
V
S
Peak Voltage Swing to R
EXT
V
S match
V
S
Matching Error to R
EXT
Phase(I-Q)
Description
Min.
6.5
32
Typ.
6.8
40
Max.
7
50
1
1.04VHS
5
0.56
0.5
91.5
Units
k
k
%
V
mV
V
dB
degrees
0.96VHS
0.45
0.5
88.5
90
VHS = (V
P
+ V
N
)/2
8.11.2- I,Q,NI,NQ
(STB4395)
VHS = (V
P
+V
N
)/2 - VHR= (V
P
+VRD)/2
Symbol
R
EXT
External Input Resistance
R
INT
Internal Input Resistance
R
IM
R
INT
Matching Error
V
DC
DC bias to R
EXT
V
DC match
V
DC
Matching Error to R
EXT
V
S
Peak Voltage Swing to R
EXT
V
S match
V
S
Matching Error to R
EXT
Phase (I/Ibar and Q/Qbar)
Phase I to Ibaror Q to Qbar
Description
Min.
Typ.
2
40
Max.
Unit
k
k
%
V
mV
V
mV
degrees
degrees
32
50
1
VHS-0.7
VHR+0.7
12
0.85
20
91.5
0.7
0.75
88.5
90
0
STB4395
14/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NF06L-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
STB4395A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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