參數(shù)資料
型號： STB4395
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
中文描述： 第二代無線電話接收器/發(fā)送器（第二代無線電話接收器/發(fā)送器）
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： STB4395
8 - TRANSCEIVER SECTION
Symbol
f
OP
Description
Min.
800
-1
Typ.
Max.
1000
1
Unit
MHz
kHz
kHz
dBm
dBm
dBm
Frequency Range
Channel Frequency Accuracy
Modulation Deviation (synchronised with72 Kbits/s data rate)
Output Power (300
balanced)high power mode
Sensitivity (source 300
balanced) for 1E-3 BER
Signal max. for1E-3 BER
0
18
P
OUTTX
13
-103
-105
0
8.1 - Receiver-InputSpecification
LNA, firstmixer and buffer
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
dB
dB
-
-
-
-
dB
dBm
dBm
Conversion voltage gain
Available conversion power gain
Input impedance
Output impedance
Source impedance
Load impedance
Noise figure
1dB compression point (input)
Third order intercept (input)
33.7
±
1.5
21.5
±
1.5
300
// 3pF
5k
// 3pF
300
// -3pF
5k
// -3pF
3.5
-24
-14
First IF amplifier, second mixer and buffer
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
dB
dB
-
-
-
-
dB
dBm
dBm
Conversion Voltage Gain
Available Conversion PowerGain
Input Impedance
Output Impedance
Source Impedance
Load Impedance
Noise Figure
1dB Compression Point (input)
Third Order Intercept (input)
22.0
±
1.5
16.3
±
1.5
700
// 2pF
2k
// 2pF
700
// -2pF
2.8k
// -2pF
6
-32
-22
Second IF amplifier
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
82
±
3
86
±
3
3
10k
// pF
1.1k
// 2F
2.2k
// -2pF
see App. Diag.
6
-108
Max.
Unit
dB
dB
MHz
-
-
-
Conversion Voltage Gain
Available Power Gain (to DISCO)
Bandwith (3dB)
Input Impedance
Output Impedance (to DISCO)
Source Impedance
Load Impedance (at DISCO)
Noise Figure
1dB Compression Point (input)
dB
dBm
STB4395
10/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NF06L-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB4395A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*