參數(shù)資料
型號(hào)： STB30NS15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.075歐姆- 30A條采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大小： 455K
代理商： STB30NS15
9/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.45
0.7
0.017
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
ˉ
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB35NF10T4 THERMISTOR PTC 6V .35A RESETTABL
STP35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB3NA60-1 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB3300 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:RF Modulator/Demodulator
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