參數(shù)資料
型號(hào)： STB30NS15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.075歐姆- 30A條采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 455K
代理商： STB30NS15
7/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
DIM.
mm.
TYP.
inch.
TYP.
MIN.
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
MAX.
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
MIN.
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
TYP.
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
8
0.315
10
8.5
4.88
15
1.27
1.4
2.4
10.4
0.394
0.409
0.334
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.4
0.016
0°
8°
0°
8°
D
2
PAK MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB35NF10T4 THERMISTOR PTC 6V .35A RESETTABL
STP35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB3NA60-1 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB3300 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Modulator/Demodulator
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