參數(shù)資料
型號(hào)： STB30NS15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.075歐姆- 30A條采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 455K
代理商： STB30NS15
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
6/11
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For Resistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB3300 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Modulator/Demodulator
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