型號(hào): | STB15N25 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
中文描述: | ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/6頁(yè) |
文件大小: | 87K |
代理商: | STB15N25 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB160NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.0018ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
STB160NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.0021ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
STB16PF06L | P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET |
STB16PF06LT4 | P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET |
STB18N20 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB15N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB15N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB15NK50Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STB15NK50Z-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 500V - 0.30Ω - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET |
STB15NK50ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |