參數(shù)資料
型號： STB18N20
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率MOS晶體管)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： STB18N20
STB18N20
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.145
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
VERYHIGH CURRENT CAPABILITY
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER
PACKAGEIN TUBE(SUFFIX ”-1”)
I
SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)
POWERPACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
SOLENOID ANDRELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS,Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
200
V
V
DGR
200
±
20
18
V
V
GS
I
D
V
A
I
D
11
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
72
A
125
W
1
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.18
I
D
STB18N20
200 V
18 A
March 1996
123
1
3
I2PAK
TO-262
D2PAK
TO-263
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB18N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:295 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB18N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB18N60M2 Series 600 V 13 A 280 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-263-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 ?X typ., 13 A MDmesh II Plus? low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
STB18N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB18NF25 功能描述:MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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