參數(shù)資料
型號(hào)： STB18N20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： STB18N20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 100 V
R
G
= 9.1
V
DD
= 100 V
R
G
= 9.1
I
D
= 18 A
V
DD
= Max Rating x 0.8
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
20
75
30
105
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
470
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
GS
= 10 V
57
11
26
80
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 160 V
R
G
= 9.1
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
40
35
75
55
50
105
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
18
72
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 18 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 18 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
300
3.3
22
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STB18N20
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB18N55M5 功能描述:MOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm Mdmesh V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB18N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:295 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB18N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB18N60M2 Series 600 V 13 A 280 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-263-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 ?X typ., 13 A MDmesh II Plus? low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
STB18N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB18NF25 功能描述:MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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