- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380760 > STB18N20 (意法半導(dǎo)體) N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率MOS晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STB18N20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | STB18N20 |
Information furnished is believed to be accurateand reliable. However,SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the
consequencesof use ofsuch informationnor for any infringement of patentsor otherrights of third parties whichmay resultsfrom its use. No
license is grantedby implicationor otherwise underany patent or patentrights ofSGS-THOMSON Microelectronics. Specifications mentioned
in this publicationare subjectto change withoutnotice.This publication supersedes and replaces all information previously supplied.
SGS-THOMSONMicroelectronics productsare notauthorized for useascriticalcomponents in lifesupportdevices or systems withoutexpress
writtenapproval of SGS-THOMSON Microelectonics.
1995 SGS-THOMSON Microelectronics - All RightsReserved
SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil- France - Germany - HongKong - Italy- Japan - Korea - Malaysia - Malta- Morocco- TheNetherlands-
Singapore- Spain- Sweden- Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom- U.S.A
. . .
STB18N20
10/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB190NF04-1 | N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET |
| STB190NF04T4 | N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET |
| STB19NF20 | N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
| STP19NF20 | N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
| STB20NK50Z | RESISTOR ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB18N55M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm Mdmesh V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB18N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:295 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB18N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB18N60M2 Series 600 V 13 A 280 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-263-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.255 ?X typ., 13 A MDmesh II Plus? low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages |
| STB18N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB18NF25 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。