型號: | STP19NF20 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
中文描述: | N溝道200伏- 0.15ヘ- 15A條-到220 -采用D2PAK -對220FP網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/16頁 |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | STP19NF20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB20NK50Z | RESISTOR ARRAY |
STW20NK50Z | N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
STB20NK50Z-S | Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:47kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination |
STB20NK50ZT4 | RESNET 51-OHM 8-ELEMENT 5% 0.063W THK-FILM CONCAVE SMD-4.0X2.1 TR-7-PL |
STB210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP19NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP19NM65N | 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
S-TP1G03-T25-512 | 制造商:RadiSys 功能描述:P945GM 1LAN T2500, 512MB |
STP1N105K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 1050V 8Ohm 1.4A SuperMESH3 MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP1N120 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |