參數(shù)資料
型號： STP19NF20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.15ヘ- 15A條-到220 -采用D2PAK -對220FP網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/16頁
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代理商： STP19NF20
Electrical characteristics
STB19NF20 - STF9NF20 - STP19NF20
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 4.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 1mA, V
GS
= 0
200
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max rating,
V
DS
= Max rating @125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage current
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±
100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2
3
4
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 7.5A
0.15
0.16
Table 5.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Forward transconductance
V
DS
=8V, I
D
= 7.5A
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=25V, f=1 MHz,
V
GS
=0
800
165
26
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
=160V, I
D
= 15A
V
GS
=10V
(see Figure 16)
24
4.4
11.6
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STB20NK50Z-S Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:47kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
STB20NK50ZT4 RESNET 51-OHM 8-ELEMENT 5% 0.063W THK-FILM CONCAVE SMD-4.0X2.1 TR-7-PL
STB210NF02 N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP19NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NM65N 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
S-TP1G03-T25-512 制造商:RadiSys 功能描述:P945GM 1LAN T2500, 512MB
STP1N105K3 功能描述:MOSFET N-Ch 1050V 8Ohm 1.4A SuperMESH3 MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP1N120 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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