參數資料
型號： STP19NF20
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.15ヘ- 15A條-到220 -采用D2PAK -對220FP網眼密胺⑩功率MOSFET
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代理商： STP19NF20
STB19NF20 - STF9NF20 - STP19NF20
Electrical characteristics
5/16
Table 6.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on delay time
Rise time
V
DD
=100 V, I
D
= 7.5A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10V
(see Figure 15)
11.5
22
ns
ns
t
d(off)
t
f
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 100 V, I
D
= 7.5A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see Figure 15)
19
11
ns
ns
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
15
A
I
SDM(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current (pulsed)
60
A
V
SD(2)
2.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
=15A, V
GS
=0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
=15A, V
DD
=50V
di/dt = 100A/μs,
(see Figure 20)
125
0.55
8.8
ns
μC
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
=15A, V
DD
=50V
di/dt = 100A/μs,
Tj=150°C
(see Figure 20)
148
0.73
9.9
ns
μC
A
相關PDF資料
PDF描述
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STB20NK50Z-S Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:47kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
STB20NK50ZT4 RESNET 51-OHM 8-ELEMENT 5% 0.063W THK-FILM CONCAVE SMD-4.0X2.1 TR-7-PL
STB210NF02 N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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STP19NM65N 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STP1N120 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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